IRFS4410

Купить со склада от 274,00 руб

Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 96А, 250Вт, D2PAK

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
IRFS4410

Анализ рынка IRFS4410@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
26
3352
от 2400
359,00 p
Склад
29
1360
от 1000
274,00 p
Склад
33
1600
от 1600
438,00 p
Склад
33
624
от 500
418,00 p
Склад
33
1600
от 1000
632,00 p
Склад
27
1600
от 1000
362,00 p

Технические характеристики IRFS4410

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
88 A
Rds On - Drain-Source Resistance
8 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
120 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Packaging
Tube
Brand
Infineon IR
Fall Time
50 ns
Forward Transconductance - Min
120 S
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
200 W
Rise Time
80 ns
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
55 ns
Typical Turn-On Delay Time
24 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 886843 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 274.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 12557 шт.

IRFS4410%40INFIN