MRF1517NT1

RF Power Transistor, 0.136 to 0.52 GHz, 8 W, Typ Gain in dB is 14 @ 520 MHz, 7.5 V, LDMOS

Worldwide (495)649-84-45 NXP Semiconductors
Техническая документация:
MRF1517NT1

Анализ рынка MRF1517NT1@NXP - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики MRF1517NT1

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Pin Count
4
Mounting
Surface Mount
Operating Temp Range
-65C to 150C
Packaging
Tape and Reel
Rad Hardened
No
Package Type
PLD-1.5
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Screening Level
Military
Number of Elements
1
Drain Efficiency (Typ)
70(%)
Continuous Drain Current
4(A)
Forward Transconductance (Typ)
0.9(S)
Power Gain (Typ)@Vds
11(dB)
Power Dissipation (Max)
62500(mW)
Frequency (Max)
520(MHz)
Drain Source Voltage (Max)
25(V)
Reverse Capacitance (Typ)
6@7.5V(pF)
Input Capacitance (Typ)@Vds
66@7.5V(pF)
Output Capacitance (Typ)@Vds
38@7.5V(pF)
Application
VHFUHF
Output Power (Max)
8(TYP)
Frequency (Min)
136(MHz)
обновлено 24-03-2024
MRF1517NT1%40NXP