2N5886G

Купить со склада от 176.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N5886G@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
2N5886G фото 1 2N5886G фото 1
2N5886G фото 2 2N5886G фото 2
2N5886G фото 3 2N5886G фото 3
2N5886G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N5886G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Bipolar Power
Configuration
Common Base
Dimensions
39.37 x 8.51 x 26.67 mm
Height
26.67 mm
Length
39.37 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum DC Collector Current
25 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
4 MHz
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum DC Current Gain
4
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-65 to +200 °C
Package Type
TO-204
Pin Count
2
Transistor Material
Si
Transistor Type
NPN
Width
8.51 mm
обновлено 2017-01-11 13:46:39
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 75660 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 176.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 5038 шт.

2N5886G%40ONS