2N5551G

Купить со склада от 0.00 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N5551G@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
2N5551G фото 1 2N5551G фото 1
2N5551G фото 2 2N5551G фото 2
2N5551G фото 3 2N5551G фото 3
2N5551G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N5551G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Family
2N5551
Maximum Collector Emitter Voltage
160V
Maximum Emitter Base Voltage
6V
Minimum DC Current Gain
80@1mA@5VI80@10mA@5VI30@50mA@5V
Maximum Operating Frequency
300MHz
Maximum DC Collector Current
0.6A
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Mounting
Through Hole
Packaging
Bulk
Type
NPN
Pin_Count
3
Supplier_Package
TO-92
Product Width
4.19mm(Max)
Product Height
5.33mm(Max)
Product Length
5.2mm(Max)
Product Type
GP BJT
Category
Bipolar Small Signal
Configuration
Single
Maximum Power Dissipation
625mW
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1V@1mA@10mAI1V@5mA@50mA
Maximum Collector Base Voltage
180V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.15V@1mA@10mAI0.2V@5mA@50mA
Number of Elements per Chip
1
обновлено 2017-01-11 13:42:24
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 75591 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1040709 шт.

2N5551G%40ONS