2N3502

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Central Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N3502@CSEMI PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
2N3502 фото 1 2N3502 фото 1
2N3502 фото 2 2N3502 фото 2
2N3502 фото 3 2N3502 фото 3
2N3502 фото 4 2N3502 фото 4
2N3502
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N3502
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
RoHS
В процессе перемещения
Торговая марка
Central Semiconductor
Конфигурация
Single
Полярность транзистора
PNP
Напряжение коллектор-база (VCBO)
45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.4 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
200 MHz
Вид монтажа
Through Hole
Упаковка блок
TO-39
Коллектор постоянного токаМин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
100
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
300
Упаковка
Box
Серия
2N3502
Размер фабричной упаковки
500
обновлено 2017-01-11 14:13:12

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

2N3502%40CSEMI