BSZ110N06NS3G

Купить со склада от 63,40 руб

Транзистор MOSFET

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
BSZ110N06NS3G

Анализ рынка BSZ110N06NS3G@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
10
от 10
139,00 p
Склад
3
52
от 10
78,40 p
Склад
28
89970
от 25000
63,40 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики BSZ110N06NS3G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TSDSON-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
20 A
Rds On - Drain-Source Resistance
11 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Fall Time
6 ns
Height
1.1 mm
Length
3.3 mm
Pd - Power Dissipation
2.1 W
Rise Time
77 ns
Series
OptiMOS 3
Factory Pack Quantity
5000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
14 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Width
3.3 mm
Part # Aliases
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3GXT SP000453676
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 707419 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 63.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 90032 шт.

BSZ110N06NS3G%40INFIN