BSZ067N06LS3G

Купить со склада от 147,00 руб

60V 20A 6.7mOhm@10V,20A 69W N Channel TSDSON-8(3.3x3.3) MOSFETs

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
BSZ067N06LS3G

Анализ рынка BSZ067N06LS3G@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
34
2003
от 1000
147,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики BSZ067N06LS3G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TSDSON-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
20 A
Rds On - Drain-Source Resistance
5.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.2 V
Qg - Gate Charge
67 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
7 ns
Forward Transconductance - Min
25 S
Height
1.1 mm
Length
3.3 mm
Pd - Power Dissipation
69 W
Rise Time
26 ns
Series
OptiMOS 3
Factory Pack Quantity
5000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
37 ns
Typical Turn-On Delay Time
15 ns
Width
3.3 mm
Part # Aliases
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GXT SP000451080
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 707410 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 147.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2003 шт.

BSZ067N06LS3G%40INFIN