Товаров: 5 069 782 от 3171
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-20 01:38
MJ802G
Купить со склада от 430,00 рубБиполярный транзистор Тип NPN, UКЭ(макс) 90 В, IК(макс) 30 А, Pрасс 200 Вт, Fгран 2 МГц, h21 2
Техническая документация:
Аналоги товара:
Масса товара:
15.2 грамм
Анализ рынка MJ802G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
26
244
от 100
1 059,00 p
Склад
1-2
20
от 14
462,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
1-2
20
от 14
462,00 p
Технические характеристики MJ802G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-204-2
Transistor Polarity
NPN
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
90 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
4 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.8 V
Maximum DC Collector Current
30 A
Gain Bandwidth Product fT
2 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
MJ802
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
30 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
25
Height
8.51 mm (Max)
Length
39.37 mm
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Tray
Pd - Power Dissipation
200 W
Factory Pack Quantity
100
Width
26.67 mm (Max)
Unit Weight
0.423993 oz
обновлено 20-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
671014
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 430.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 468 шт.
MJ802G%40ONS