FDS6675BZ

Купить со склада от 60,40 руб

Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -11А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench®

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Аналоги товара:
FDS6675BZ

Анализ рынка FDS6675BZ@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
29
32500
от 10000
76,00 p
Склад
22
5113
от 1000
60,40 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
26
2116
от 1000
77,60 p

Технические характеристики FDS6675BZ

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SO-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 30 V
Id - Continuous Drain Current
- 11 A
Rds On - Drain-Source Resistance
10.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
25 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Channel Mode
Enhancement
Tradename
PowerTrench
Packaging
MouseReel
Packaging
Cut Tape
Packaging
Reel
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Fall Time
60 ns
Forward Transconductance - Min
34 S
Height
1.75 mm
Length
4.9 mm
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Rise Time
7.8 ns
Series
FDS6675BZ
Factory Pack Quantity
2500
Transistor Type
1 P-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
120 ns
Typical Turn-On Delay Time
3 ns
Width
3.9 mm
Unit Weight
0.004586 oz
обновлено 20-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 662514 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 60.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 70976 шт.

FDS6675BZ%40ONS