FDS6673BZ

МОП-транзистор -30V P-Channel PowerTrench МОП-транзистор

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
FDS6673BZ

Анализ рынка FDS6673BZ@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики FDS6673BZ

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SO-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 30 V
Id - Continuous Drain Current
- 14.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance
6.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
25 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Channel Mode
Enhancement
Tradename
PowerTrench
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Packaging
Reel
Height
1.75 mm
Length
4.9 mm
Series
FDS6673BZ
Transistor Type
1 P-Channel
Type
MOSFET
Width
3.9 mm
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Forward Transconductance - Min
60 S
Fall Time
105 ns
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Rise Time
16 ns
Factory Pack Quantity
2500
Typical Turn-Off Delay Time
225 ns
Typical Turn-On Delay Time
14 ns
Unit Weight
0.004586 oz
обновлено 24-03-2024
FDS6673BZ%40ONS