FDS6612A

Купить со склада от 57,80 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,4А; 2,5Вт; SO8

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
FDS6612A

Анализ рынка FDS6612A@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
570
от 500
63,60 p
Склад
26
11357
от 10000
60,80 p
Склад
26
141427
от 10000
63,80 p
Склад
30
144152
от 10000
57,80 p
Склад
 
Склад
28
2494
от 1000
69,70 p

Технические характеристики FDS6612A

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Continuous Drain Current
8.4(A)
Power Dissipation
2.5(W)
Package Type
SOIC
Pin Count
8
Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Classification
Military
Operating Temp Range
-55C to 150C
Packaging
Tape and Reel
Type
Power MOSFET
Rad Hardened
No
Polarity
N
Channel Mode
Enhancement
Gate-Source Voltage (Max)
\'±20(V)
Drain-Source On-Volt
30(V)
Number of Elements
1
обновлено 19-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 662512 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 57.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 302240 шт.

FDS6612A%40ONS