BSZ050N03LSG

Купить со склада от 62,70 руб

MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, PG-TSDSON, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:40A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):4.2mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V , RoHS Compliant: Yes

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
BSZ050N03LSG

Анализ рынка BSZ050N03LSG@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
64
от 64
122,00 p
Склад
28
8982
от 5000
62,70 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
29
150
от 190
78,70 p

Технические характеристики BSZ050N03LSG

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TSDSON-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Id - Continuous Drain Current
40 A
Rds On - Drain-Source Resistance
4.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V
Qg - Gate Charge
35 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
3.6 ns
Forward Transconductance - Min
38 S
Height
1.1 mm
Length
3.3 mm
Pd - Power Dissipation
50 W
Rise Time
4 ns
Series
OptiMOS 3
Factory Pack Quantity
5000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
21 ns
Typical Turn-On Delay Time
5.2 ns
Width
3.3 mm
Part # Aliases
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGXT SP000304139
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 620029 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 62.70RUB руб. Купить

Доступное количество: 9260 шт.

BSZ050N03LSG%40INFIN