FDD8778

Купить со склада от 173,00 руб

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 35A I(D), 25V, 0.014OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA

Техническая документация:

📖

PDF
Даташит

Масса товара:

0.3969 грамм

FDD8778

Анализ рынка FDD8778@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник

Срок (р.д.)

Наличие, шт.

Опт, шт.

Цена опт

Источник

Срок
(р.д.)

Наличие,
шт.

Опт, шт.

Цена
опт

Склад

Сегодня

от 70

227,00 p

Склад

Технические характеристики FDD8778

Continuous Drain Current

35(A)

Package Type

DPAK

Mounting

Surface Mount

Operating Temperature Classification

Military

Packaging

Tape and Reel

Rad Hardened

Pin Count

2 +Tab

Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)

Number of Elements

Drain-Source On-Volt

25(V)

Operating Temp Range

-55C to 175C

Type

Power MOSFET

Power Dissipation

39(W)

Polarity

Channel Mode

Enhancement

обновлено 19-04-2024

Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 594765 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 173.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 140 шт.

FDD8778%40ONS