BSZ086P03NS3EG

Купить со склада от 74,60 руб

MOSFET Transistor, P Channel, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V , RoHS Compliant: Yes

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies www.infineon.com

🌏

Сайт
Infineon Technologies

Техническая документация:

Другие
названия этого товара:

BSZ086P03NS3E G
BSZ086P03NS3EGATMA1

BSZ086P03NS3EG

Анализ рынка BSZ086P03NS3EG@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник

Срок (р.д.)

Наличие, шт.

Опт, шт.

Цена опт

Источник

Срок
(р.д.)

Наличие,
шт.

Опт, шт.

Цена
опт

Склад

3422

от 2500

74,60 p

Склад

Сегодня

от 6

169,00 p

Технические характеристики BSZ086P03NS3EG

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя

Product Category

MOSFET

Manufacturer

Infineon

RoHS

Details

Technology

Mounting Style

SMDSMT

Package Case

TSDSON-8

Number of Channels

1 Channel

Transistor Polarity

P-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

- 30 V

Id - Continuous Drain Current

- 40 A

Rds On - Drain-Source Resistance

6.5 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

+- 25 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

- 3.1 V

Qg - Gate Charge

57.5 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Packaging

Reel

Channel Mode

Enhancement

Tradename

OptiMOS

Brand

Infineon Technologies

Configuration

1 P-Channel

Fall Time

8 ns

Forward Transconductance - Min

30 S

Height

1.1 mm

Length

3.3 mm

Pd - Power Dissipation

69 W

Rise Time

46 ns

Series

OptiMOS P3

Factory Pack Quantity

5000

Transistor Type

1 P-Channel

Typical Turn-Off Delay Time

35 ns

Typical Turn-On Delay Time

16 ns

Width

3.3 mm

Part # Aliases

BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGXT SP000473016

обновлено 17-04-2024

Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 5796317 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 74.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 3437 шт.

BSZ086P03NS3EG%40INFIN