Товаров: 5 043 324 от 3243
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-18 06:48
BSC110N06NS3G
Купить со склада от 77,90 рубMOSFET, N CHANNEL, 60V, 50A, 8TDSON, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:50A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.009ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Анализ рынка BSC110N06NS3G@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
28
96412
от 10000
77,90 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики BSC110N06NS3G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TDSON-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
50 A
Rds On - Drain-Source Resistance
9 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Qg - Gate Charge
33 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
6 ns
Forward Transconductance - Min
25 S
Height
1.27 mm
Length
5.9 mm
Pd - Power Dissipation
50 W
Rise Time
77 ns
Series
OptiMOS 3
Factory Pack Quantity
5000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
14 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Width
5.15 mm
Part # Aliases
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GXT SP000453668
обновлено 17-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
5796112
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 77.90RUB руб. Купить
Доступное количество: 96412 шт.
BSC110N06NS3G%40INFIN