FDD5670

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 52А; 83Вт; DPAK; PowerTrench®

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor onsemi.com

🌏

Сайт
ON Semiconductor

Техническая документация:

FDD5670

Анализ рынка FDD5670@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник

Срок (р.д.)

Наличие, шт.

Опт, шт.

Цена опт

Источник

Срок
(р.д.)

Наличие,
шт.

Опт, шт.

Цена
опт

Склад

Технические характеристики FDD5670

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя

Manufacturer

ON Semiconductor

Series

PowerTrenchВ®

Packaging

Cut Tape (CT)

Part Status

Active

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

52A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V

Vgs (Max)

В±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2739pF @ 15V

FET Feature

Power Dissipation (Max)

3.8W (Ta), 83W (Tc)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Supplier Device Package

TO-252

Package Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

обновлено 19-04-2024

FDD5670%40ONS