HGTG30N60A4
Купить со склада от 725,00 рубБиполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
7.375 грамм
Анализ рынка HGTG30N60A4@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
21
от 21
1 588,00 p
Склад
3
36
от 16
773,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики HGTG30N60A4
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Package Case
TO-247-3
Mounting Style
Through Hole
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
75 A
Pd - Power Dissipation
463 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
HGTG30N60A4
Packaging
Tube
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Continuous Collector Current
75 A
Continuous Collector Current Ic Max
75 A
Gate-Emitter Leakage Current
+- 250 nA
Height
20.82 mm
Length
15.87 mm
Factory Pack Quantity
30
Technology
Si
Width
4.82 mm
Part # Aliases
HGTG30N60A4_NL
Unit Weight
0.225401 oz
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
529940
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 725.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 114 шт.
HGTG30N60A4%40ONS