FDP047AN08A0

Купить со склада от 583,00 руб

Транзистор: N-MOSFET; 75В; 80А; 310Вт; TO220

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
FDP047AN08A0

Анализ рынка FDP047AN08A0@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
34
19
от 10
583,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики FDP047AN08A0

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Maximum Continuous Drain Current
15A
Maximum Drain Source Voltage
75V
Supplier Package
TO-220AB
Maximum Drain Source Resistance
0.0047?
конфигурация
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20V
Typical Turn-Off Delay Time
40ns
Typical Turn-On Delay Time
18ns
разрешение
Power MOSFET
монтаж (установка)
Through Hole
максимальная рабочая температура
175°C
Minimum Operating Temperature
-55°C
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Product Height
9.02mm
Product Length
10.28mm
Product Width
4.57mm
Pin Count
3
Typical Rise Time
88ns
Typical Fall Time
45ns
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 529507 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 583.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 19 шт.

FDP047AN08A0%40ONS