NTD3055L104-1G

Купить со склада от 13.30 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Масса товара:
0 грамм
NTD3055L104-1G фото 1 NTD3055L104-1G фото 1
NTD3055L104-1G фото 2 NTD3055L104-1G фото 2
NTD3055L104-1G фото 3 NTD3055L104-1G фото 3
NTD3055L104-1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NTD3055L104-1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
60
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?15
Maximum Continuous Drain Current - (A)
12
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
2
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
104@5V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
7.4@5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
316@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
48000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
175
Typical Output Capacitance - (pF)
105
Packaging
Tube
Pin Count
3
Supplier Package
IPAK
Package Family Name
TO-251
Standard Package Name
TO-251
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-01-11 14:34:40
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510945 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 13.30RUB руб. Купить

Доступное количество: 242329 шт.

NTD3055L104-1G%40ONS