NTB52N10G

Купить со склада от 57.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
NTB52N10G фото 1 NTB52N10G фото 1
NTB52N10G фото 2 NTB52N10G фото 2
NTB52N10G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NTB52N10G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
MOSFETs
RoHS
No
Product
General Purpose MOSFETs
Configuration
Single
Transistor Polarity
N-Channel
Package Case
D2PAK
Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Continuous Drain Current
52 A
Power Dissipation
178000 mW
Forward Transconductance gFS (Max Min)
31 S
Resistance Drain-Source RDS (on)
0.03 Ohm @ 10 V
Typical Fall Time
100 ns
Typical Rise Time
95 ns
Typical Turn-Off Delay Time
74 ns
Packaging
Tube
Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Type
MOSFET
обновлено 2017-01-11 14:08:03
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510931 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 57.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 4650 шт.

NTB52N10G%40ONS