MJE803G

Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 4А, 40Вт, TO225AA

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
MJE803G

Анализ рынка MJE803G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики MJE803G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Darlington Transistors
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Configuration
Single
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Collector Cut-off Current
100 uA
Pd - Power Dissipation
40 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-225
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
MJE802
Packaging
Bulk
Brand
ON Semiconductor
DC CollectorBase Gain hfe Min
100
Height
11.04 mm
Length
7.74 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack Quantity
500
Width
2.66 mm
обновлено 24-03-2024
MJE803G%40ONS