MJE5852G

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MJE5852G фото 1 MJE5852G фото 1
MJE5852G фото 2 MJE5852G фото 2
MJE5852G фото 3 MJE5852G фото 3
MJE5852G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJE5852G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Bipolar Power
Configuration
Common Base
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Height
15.75 mm
Length
10.28 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
5 V
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Maximum DC Collector Current
8 A
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
80 W
Minimum DC Current Gain
5
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-65 to +150 °C
Package Type
TO-220
Pin Count
3
Series
SWITCHMODE™ Series
Transistor Material
Si
Transistor Type
PNP
Width
4.82 mm
обновлено 2017-01-11 14:31:30
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510497 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 72903 шт.

MJE5852G%40ONS