Товаров: 5 021 246 от 3228
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-16 07:35
MJE5850G
TRANSISTOR, PNP, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-300V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:15hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Current Ic Continuous a Max:8A; Hfe Min:15; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Termination Type:Through Hole
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Анализ рынка MJE5850G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики MJE5850G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Transistor Polarity
PNP
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
300 V
Collector- Base Voltage VCBO
350 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum DC Collector Current
8 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
MJE5850
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
8 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
15
Height
15.75 mm
Length
10.53 mm
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
80 W
Factory Pack Quantity
50
Width
4.83 mm
Unit Weight
0.211644 oz
обновлено 17-04-2024
MJE5850G%40ONS