MJE3055TG

Купить со склада от 21.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MJE3055TG фото 1 MJE3055TG фото 1
MJE3055TG фото 2 MJE3055TG фото 2
MJE3055TG фото 3 MJE3055TG фото 3
MJE3055TG
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJE3055TG
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
Common Base
Current, Collector
10 A
Current, Gain
5
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Frequency, Operating
2 MHz
Height
15.75 mm
Length
10.28 mm
Material
Si
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220
Polarity
NPN
Power Dissipation
75 W
Primary Type
Si
Resistance, Thermal, Junction to Case
1.67 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Transistor Type
NPN
Type
Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter
60 V
Voltage, Collector to Base
70 V
Voltage, Collector to Emitter
60 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation
8 V
Voltage, Emitter to Base
5 V
Width
4.82 mm
обновлено 2017-01-11 14:34:12
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510485 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 21.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 41233 шт.

MJE3055TG%40ONS