MJD112-1G

Купить со склада от 171,00 руб

TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, TO-251; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:25MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Аналоги товара:
MJD112-1G

Анализ рынка MJD112-1G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
34
136
от 75
171,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
34
65
от 30
206,00 p

Технические характеристики MJD112-1G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Darlington Transistors
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Configuration
Single
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Maximum DC Collector Current
2 A
Maximum Collector Cut-off Current
20 uA
Pd - Power Dissipation
20 W
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3 (DPAK)
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
MJD112
Packaging
Tube
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
2 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
200, 500, 1000
Height
6.22 mm
Length
6.73 mm
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack Quantity
75
Width
2.38 mm
Unit Weight
0.001411 oz
обновлено 17-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510441 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 171.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 201 шт.

MJD112-1G%40ONS