MGSF1N03LT1G

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MGSF1N03LT1G фото 1 MGSF1N03LT1G фото 1
MGSF1N03LT1G фото 2 MGSF1N03LT1G фото 2
MGSF1N03LT1G фото 3 MGSF1N03LT1G фото 3
MGSF1N03LT1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MGSF1N03LT1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01 mm
Forward Diode Voltage
0.8 V
Height
1.01 mm
Length
3.04 mm
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A
Maximum Drain Source Resistance
0.145 Ω
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
0.69 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
6000 nC &&64;
Typical Input Capacitance @ Vds
140 pF &&64; 5 V
Typical Turn On Delay Time
2.5 ns
Typical TurnOff Delay Time
16 ns
Width
1.4 mm
обновлено 2017-01-11 14:34:24
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510416 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 270739 шт.

MGSF1N03LT1G%40ONS