MBRD835LT4G

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MBRD835LT4G фото 1 MBRD835LT4G фото 1
MBRD835LT4G фото 2 MBRD835LT4G фото 2
MBRD835LT4G фото 3 MBRD835LT4G фото 3
MBRD835LT4G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MBRD835LT4G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
Dual Common Anode
Dimensions
6.22 x 6.73 x 2.25 mm
Diode Type
Schottky Barrier
Height
2.25 mm
Length
6.22 mm
Maximum Continuous Forward Current
8 A
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature Range
-65 to +150 °C
Package Type
DPAK
Peak Forward Voltage
0.51 V
Peak Non Repetitive Forward Surge Current
75 A
Peak Reverse Current
1400 μA
Peak Reverse Repetitive Voltage
35 V
Pin Count
3
Rectifier Type
Switching
Series
SWITCHMODE™ Series
Width
6.73 mm
обновлено 2017-01-11 14:31:17
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 509965 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 865909 шт.

MBRD835LT4G%40ONS