BSS84LT1G

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF BSS84LT1G@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
BSS84LT1G фото 1 BSS84LT1G фото 1
BSS84LT1G фото 2 BSS84LT1G фото 2
BSS84LT1G фото 3 BSS84LT1G фото 3
BSS84LT1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики BSS84LT1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Capacitance, Input
36 pF &&64; 5 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
Current, Drain
130 mA
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01 mm
Gate Charge, Total
6000 pC
Height
1.01 mm
Length
3.04 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
SOT-23
Polarization
P-Channel
Power Dissipation
225 mW
Resistance, Drain to Source On
10 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay
12 ns
Time, Turn-On Delay
3.6 ns
Transconductance, Forward
50 mS
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC &&64; -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
50 V
Voltage, Diode Forward
-2.2 V
Voltage, Drain to Source
-50 V
Voltage, Forward, Diode
2.2 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
1.4 mm
обновлено 2017-01-11 14:33:25
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 509669 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 918494 шт.

BSS84LT1G%40ONS