2N6667G

Купить со склада от 26.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N6667G@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
2N6667G фото 1 2N6667G фото 1
2N6667G фото 2 2N6667G фото 2
2N6667G фото 3 2N6667G фото 3
2N6667G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N6667G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Darlington Transistors
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Configuration
Single
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Maximum DC Collector Current
10 A
Maximum Collector Cut-off Current
1000 uA
Pd - Power Dissipation
65 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
2N6667
Packaging
Tube
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
10 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
1000
DC Current Gain hFE Max
20000
Height
15.75 mm
Length
10.53 mm
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack Quantity
50
Width
4.83 mm
Unit Weight
0.211644 oz
обновлено 2017-01-11 14:34:33
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 509552 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 26.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 14633 шт.

2N6667G%40ONS