2N6491G

Купить со склада от 22.40 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N6491G@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
2N6491G фото 1 2N6491G фото 1
2N6491G фото 2 2N6491G фото 2
2N6491G фото 3 2N6491G фото 3
2N6491G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N6491G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
Common Base
Current, Collector
15 A
Current, Gain
20
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Frequency, Operating
5 MHz
Height
15.75 mm
Length
10.28 mm
Material
Si
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220
Polarity
PNP
Power Dissipation
75 W
Primary Type
Si
Resistance, Thermal, Junction to Case
1.67 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-65 °C
Temperature, Operating, Range
-65 to +150 °C
Transistor Type
PNP
Type
Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter
80 V
Voltage, Collector to Base
90 V
Voltage, Collector to Emitter
80 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation
3.5 V
Voltage, Emitter to Base
5 V
Width
4.82 mm
обновлено 2017-01-11 14:29:44
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 509545 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 22.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 223472 шт.

2N6491G%40ONS