2N5657G

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N5657G@ONS Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
0 грамм
2N5657G фото 1 2N5657G фото 1
2N5657G фото 2 2N5657G фото 2
2N5657G фото 3 2N5657G фото 3
2N5657G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N5657G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-225-3
Transistor Polarity
NPN
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
350 V
Collector- Base Voltage VCBO
375 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum DC Collector Current
0.5 A
Gain Bandwidth Product fT
10 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
2N5657
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
0.5 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
30
Height
11.04 mm (Max)
Length
7.74 mm (Max)
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
20 W
Factory Pack Quantity
500
Width
2.66 mm (Max)
обновлено 2017-01-11 13:42:39
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 509507 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 43053 шт.

2N5657G%40ONS