2N5550G
Купить со склада от 21,20 рубTransistor, Bipolar,Si,NPN,Amplifier,VCEO 140VDC,IC 600mA,PD 1.5W,TO-92,hFE 20 I ON Semiconductor 2N5550G
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
0.2108 грамм
Анализ рынка 2N5550G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
26
2106
от 5000
21,20 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Сегодня
1150
от 1150
28,90 p
Технические характеристики 2N5550G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Collector Current (DC) (Max)
0.6 A
Collector-Base Voltage
160(V)
Collector-Emitter Voltage
140(V)
Emitter-Base Voltage
6(V)
Frequency (Max)
300 MHz
Power Dissipation
0.625(W)
Mounting
Through Hole
Operating Temp Range
-55C to 150C
Package Type
TO-92
Packaging
Box
Pin Count
3
Number of Elements
1
DC Current Gain (Min)
60
Operating Temperature Classification
Military
Category
Bipolar Small Signal
Rad Hardened
No
Transistor Polarity
NPN
Frequency
300(MHz)
Collector Current (DC)
0.6(A)
DC Current Gain
60
Output Power
Not Required(W)
Configuration
Single
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
509504
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 21.20RUB руб. Купить
Доступное количество: 4406 шт.
2N5550G%40ONS