2N5550G

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N5550G@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
2N5550G фото 1 2N5550G фото 1
2N5550G фото 2 2N5550G фото 2
2N5550G фото 3 2N5550G фото 3
2N5550G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N5550G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Bipolar Power
Configuration
Common Base
Dimensions
5.20 x 4.19 x 5.33 mm
Height
5.33 mm
Length
5.2 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Maximum Collector Base Voltage
160 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.25 V
Maximum Collector Emitter Voltage
140 V
Maximum DC Collector Current
600 mA
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
300 MHz
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Maximum Power Dissipation
625 mW
Minimum DC Current Gain
20
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +200 °C
Package Type
TO-92
Pin Count
3
Transistor Material
Si
Transistor Type
NPN
Width
4.19 mm
обновлено 2017-01-11 14:29:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 509504 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 373337 шт.

2N5550G%40ONS