2N4922G

Купить со склада от 14.70 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N4922G@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
2N4922G фото 1 2N4922G фото 1
2N4922G фото 2 2N4922G фото 2
2N4922G фото 3 2N4922G фото 3
2N4922G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N4922G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Bipolar Power
Configuration
Common Base
Dimensions
7.80 x 3.00 x 11.10 mm
Height
11.1 mm
Length
7.8 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.6 V
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
3 MHz
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
10
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-65 to +150 °C
Package Type
TO-225
Pin Count
3
Transistor Material
Si
Transistor Type
NPN
Width
3 mm
обновлено 2017-01-11 14:29:34
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 509491 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 14.70RUB руб. Купить

Доступное количество: 135306 шт.

2N4922G%40ONS