1N5818G

Купить со склада от 2.75 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 1N5818G@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
1N5818G фото 1 1N5818G фото 1
1N5818G фото 2 1N5818G фото 2
1N5818G фото 3 1N5818G фото 3
1N5818G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 1N5818G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
Single
Current, Forward, Continuous
1 A
Current, On-State, Non-Repetitive Peak
25 A
Current, Peak
1000 μA
Current, Reverse
10 mA
Current, Surge
25 A
Diameter
2.7 mm
Dimensions
2.7 Dia. x 5.2 L mm
Diode Type
Schottky Barrier
Length
5.2 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Pins
2
Package Type
DO-41
Primary Type
Schottky Barrier
Rectifier Type
Free-Wheeling Diode, High Frequency, Low Voltage, Polarity Protection Diode
Temperature, Junction, Maximum
125 °C
Temperature, Operating
-65 to 125 °C
Temperature, Operating, Maximum
+125 °C
Temperature, Operating, Minimum
-65 °C
Temperature, Operating, Range
-65 to +125 °C
Voltage, Forward
0.9 V
Voltage, Repetitive Peak
30 V
обновлено 2017-01-11 14:29:42
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 509342 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 2.75RUB руб. Купить

Доступное количество: 352011 шт.

1N5818G%40ONS