Товаров: 5 086 371 от 3240
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-19 01:38
SI7898DP
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 3А; Idm: 25А; 1,2Вт
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Анализ рынка SI7898DP@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики SI7898DP
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
TrenchFETВ®
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.9W (Ta)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAKВ® SO-8
Package Case
PowerPAKВ® SO-8
обновлено 19-04-2024
SI7898DP%40VISHAY