SI7810DN

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI7810DN@VISHAY Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
SI7810DN фото 1 SI7810DN фото 1
SI7810DN фото 2 SI7810DN фото 2
SI7810DN фото 3 SI7810DN фото 3
SI7810DN
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI7810DN
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
TrenchFET® Series
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Quad Drain, Triple Source
Current, Drain
3.4 A
Dimensions
3.3 x 3.3 x 1.07 mm
Gate Charge, Total
13.5 nC
Height
1.07 mm
Length
3.3 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
8
Package Type
PowerPAK-SO-8
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
1.5 W
Resistance, Drain to Source On
0.084 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay
20 ns
Time, Turn-On Delay
10 ns
Transconductance, Forward
12 S
Typical Gate Charge @ Vgs
13.5 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Diode Forward
1.2 V
Voltage, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
0.78 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
3.3 mm
обновлено 2017-01-11 14:34:01
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 499115 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 54260 шт.

SI7810DN%40VISHAY