Товаров: 5 086 371 от 3240
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-19 01:38
SI7456DP
Купить со склада от 166,00 рубMOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation P
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Анализ рынка SI7456DP@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
3000
от 3000
223,00 p
Склад
29
15000
от 10000
294,00 p
Склад
26
10000
от 10000
166,00 p
Склад
28
46426
от 10000
221,00 p
Склад
30
9000
от 9000
189,00 p
Склад
Технические характеристики SI7456DP
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
TrenchFETВ®
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
5.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.9W (Ta)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAKВ® SO-8
Package Case
PowerPAKВ® SO-8
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
499105
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 166.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 83426 шт.
SI7456DP%40VISHAY