SI4894BDY

Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 9,5А, 2,5Вт, SO8

Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology www.vishay.com

🌏

Сайт
Vishay Intertechnology

Техническая документация:

Другие
названия этого товара:

SI4894BDY-T1-GE3
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY

Анализ рынка SI4894BDY@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:

Источник

Срок (р.д.)

Наличие, шт.

Опт, шт.

Цена опт

Источник

Срок
(р.д.)

Наличие,
шт.

Опт, шт.

Цена
опт

Склад

Технические характеристики SI4894BDY

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя

Manufacturer

Vishay Siliconix

Series

TrenchFETВ®

Packaging

Cut Tape (CT)

Part Status

Discontinued at Digi-Key

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

8.9A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250ВµA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

В±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1580pF @ 15V

FET Feature

Power Dissipation (Max)

1.4W (Ta)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Supplier Device Package

8-SO

Package Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

обновлено 20-04-2024

SI4894BDY%40VISHAY