SI3900DV

Купить со склада от 21.50 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI3900DV@VISHAY Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
SI3900DV фото 1 SI3900DV фото 1
SI3900DV фото 2 SI3900DV фото 2
SI3900DV фото 3 SI3900DV фото 3
SI3900DV
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI3900DV
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Brand
Vishay Semiconductors
Id - Continuous Drain Current
2 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Rds On - Drain-Source Resistance
125 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
12 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
830 mW
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TSOP-6
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Dual
Fall Time
30 ns
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
30 ns
Factory Pack Quantity
3000
Tradename
TrenchFET
Typical Turn-Off Delay Time
14 ns
Part # Aliases
SI3900DV-E3
обновлено 2017-01-11 14:32:46
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 499019 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 21.50RUB руб. Купить

Доступное количество: 39995 шт.

SI3900DV%40VISHAY