SI3460BDV

Купить со склада от 28.10 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI3460BDV@VISHAY Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
SI3460BDV фото 1 SI3460BDV фото 1
SI3460BDV фото 2 SI3460BDV фото 2
SI3460BDV фото 3 SI3460BDV фото 3
SI3460BDV
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI3460BDV
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Technology
TrenchFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
20
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?8
Maximum Continuous Drain Current - (A)
6.7
Material
Si
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
1
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
27@4.5V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
16@8VI9@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
860@10V
Maximum Power Dissipation - (mW)
2000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Typical Output Capacitance - (pF)
100
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
6
Supplier Package
TSOP
Package Family Name
SOT
Standard Package Name
SOP
Life Cycle
NRND
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-01-11 14:32:07
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 499010 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 28.10RUB руб. Купить

Доступное количество: 40935 шт.

SI3460BDV%40VISHAY