SI2316DS
Купить со склада от 51,10 рубТранзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 2,3А, 0,45Вт, SOT23
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Анализ рынка SI2316DS@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
26
13388
от 9000
51,10 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
34
2925
от 1000
63,10 p
Технические характеристики SI2316DS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
TrenchFETВ®
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250ВµA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
215pF @ 15V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
700mW (Ta)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Package Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
498993
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 51.10RUB руб. Купить
Доступное количество: 28811 шт.
SI2316DS%40VISHAY