SI1902DL
Купить со склада от 29,00 рубDUAL N CHANNEL MOSFET, FULL REEL, Transistor Polarity:Dual N Channel, Continuous Drain Current Id:700mA, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):385mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:600mV , RoHS Compliant: Yes
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Анализ рынка SI1902DL@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
3000
от 3000
33,60 p
Склад
29
6000
от 6000
38,10 p
Склад
26
32181
от 30000
29,00 p
Склад
28
121026
от 45000
31,20 p
Склад
28
331391
от 45000
29,70 p
Склад
26
27868
от 10000
29,60 p
Технические характеристики SI1902DL
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
2.2 x 1.35 x 1 mm
Forward Diode Voltage
1.2 V
Forward Transconductance
1.5 S
Height
1 mm
Length
2.2 mm
Maximum Continuous Drain Current
0.66 A
Maximum Drain Source Resistance
0.63 Ω
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
0.27 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SC-70
Pin Count
6
Series
TrenchFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
0.8 nC &&64; 10 V
Typical Turn On Delay Time
10 ns
Typical TurnOff Delay Time
10 ns
Width
1.35 mm
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
498981
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 29.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 545826 шт.
SI1902DL%40VISHAY