ZXMP6A18DN8
Купить со склада от 108,00 рубТранзистор P-MOSFET x2, полевой, -60В, -3,8А, 1,25Вт, SO8
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Анализ рынка ZXMP6A18DN8@DIODES - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
26
223
от 100
214,00 p
Склад
27
2750
от 1000
108,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
34
226
от 100
144,00 p
Технические характеристики ZXMP6A18DN8
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Diodes Incorporated
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOIC-8
Number of Channels
2 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 60 V
Id - Continuous Drain Current
- 4.8 A
Rds On - Drain-Source Resistance
55 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 1 V
Qg - Gate Charge
23 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Dual
Fall Time
23 ns
Forward Transconductance - Min
8.7 S
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Pd - Power Dissipation
2.1 W
Rise Time
5.8 ns
Series
ZXMP6A18
Factory Pack Quantity
500
Transistor Type
2 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
55 ns
Typical Turn-On Delay Time
4.6 ns
Width
4 mm
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
484721
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 108.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 3597 шт.
ZXMP6A18DN8%40DIODES