ZXMN10A25G

Купить со склада от 102,00 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,7А; 2Вт; SOT223

Worldwide (495)649-84-45 Diodes
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
ZXMN10A25G

Анализ рынка ZXMN10A25G@DIODES - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
878
от 250
146,00 p
Склад
34
575
от 250
144,00 p
Склад
34
1000
от 1000
102,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики ZXMN10A25G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Diodes Incorporated
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-223-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
4 A
Rds On - Drain-Source Resistance
125 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single Dual Drain
Fall Time
9.4 ns
Height
1.65 mm
Length
6.7 mm
Pd - Power Dissipation
3.9 W
Rise Time
3.7 ns
Series
ZXMN10A
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
18 ns
Typical Turn-On Delay Time
4.9 ns
Width
3.7 mm
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 484685 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 102.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2453 шт.

ZXMN10A25G%40DIODES