ZXMN10A11G
Купить со склада от 51,70 рубТранзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Анализ рынка ZXMN10A11G@DIODES - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
3484
от 1000
51,70 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
32
345
от 100
78,10 p
Технические характеристики ZXMN10A11G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Diodes Incorporated
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-223-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
2.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance
450 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single Dual Drain
Fall Time
3.5 ns
Height
1.65 mm
Length
6.7 mm
Pd - Power Dissipation
3.9 W
Rise Time
1.7 ns
Series
ZXMN10A
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
7.4 ns
Typical Turn-On Delay Time
2.7 ns
Width
3.7 mm
обновлено 20-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
484684
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 51.70RUB руб. Купить
Доступное количество: 3868 шт.
ZXMN10A11G%40DIODES