ZXMN10A08E6
Купить со склада от 35,90 рубМОП-транзистор 100V N-Chnl UMOS
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Анализ рынка ZXMN10A08E6@DIODES - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
26
2098
от 1000
62,00 p
Склад
26
33748
от 30000
35,90 p
Склад
Склад
Склад
Склад
28
16013
от 9000
38,50 p
Технические характеристики ZXMN10A08E6
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Diodes Incorporated
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-23-6
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
1.9 A
Rds On - Drain-Source Resistance
250 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single Quad Drain
Fall Time
2.2 ns
Height
1.3 mm
Length
3.1 mm
Pd - Power Dissipation
1.1 W
Product
MOSFET Small Signal
Rise Time
2.2 ns
Series
ZXMN10A
Factory Pack Quantity
3000
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
8 ns
Typical Turn-On Delay Time
3.4 ns
Width
1.8 mm
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
484683
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 35.90RUB руб. Купить
Доступное количество: 74467 шт.
ZXMN10A08E6%40DIODES