ZTX658

BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V, Transition Frequency ft:50MHz, Power Dissipation Pd:1W, DC Collector Current:500mA, DC Current Gain hFE:50hFE, No. of Pins:3Pins , RoHS Compliant: Yes

Worldwide (495)649-84-45 Diodes
Техническая документация:
Аналоги товара:
ZTX658

Анализ рынка ZTX658@DIODES - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики ZTX658

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
Diodes Incorporated
RoHS
In Transition
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
400 V
Collector- Base Voltage VCBO
400 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Maximum DC Collector Current
0.5 A
Gain Bandwidth Product fT
50 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
ZTX658
Brand
Diodes Incorporated
Continuous Collector Current
0.5 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
50 at 1 mA at 5 V, 50 at 100 mA at 5 V, 40 at 200 mA at 10 V
DC Current Gain hFE Max
50 at 1 mA at 5 V
Height
4.01 mm
Length
4.77 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
1 W
Factory Pack Quantity
4000
Width
2.41 mm
обновлено 24-03-2024
ZTX658%40DIODES