ZTX618

TRANSISTOR, NPN, E-LINE; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency ft:140MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:3.5A; DC Current Gain hFE:450hFE; Transistor Case St

Worldwide (495)649-84-45 Diodes
Техническая документация:
ZTX618

Анализ рынка ZTX618@DIODES - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики ZTX618

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Diodes Incorporated
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHS
Details
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Collector- Base Voltage VCBO
20 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
210 mV
Maximum DC Collector Current
3.5 A
Gain Bandwidth Product fT
140 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
ZTX618
DC Current Gain hFE Max
200 at 10 mA at 2 V
Height
4.01 mm
Length
4.77 mm
Packaging
Bulk
Width
2.41 mm
Brand
Diodes Incorporated
Continuous Collector Current
3.5 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
200 at 10 mA at 2 V, 300 at 200 mA at 2 V, 170 at 3 A at 2 V, 40 at 10 A at 2 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Pd - Power Dissipation
1 W
Factory Pack Quantity
4000
Unit Weight
0.015873 oz
обновлено 24-03-2024
ZTX618%40DIODES