Товаров: 5 086 371 от 3240
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-19 01:38
BSC123N10LSG
Купить со склада от 284,00 руб10.6 A, 100 V, 0.0123 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Анализ рынка BSC123N10LSG@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
18
от 18
375,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики BSC123N10LSG
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TDSON-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
71 A
Rds On - Drain-Source Resistance
10 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.2 V
Qg - Gate Charge
68 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
7 ns
Forward Transconductance - Min
49 S
Height
1.27 mm
Length
5.9 mm
Pd - Power Dissipation
114 W
Rise Time
25 ns
Series
OptiMOS 2
Factory Pack Quantity
5000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
41 ns
Typical Turn-On Delay Time
18 ns
Width
5.15 mm
Part # Aliases
BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGXT SP000379612
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
4776656
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 284.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 36 шт.
BSC123N10LSG%40INFIN