JANTXV2N5416S

Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag

Техническая документация:
JANTXV2N5416S

Анализ рынка JANTXV2N5416S@MICROCHIP - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики JANTXV2N5416S

Collector Current (DC) (Max)
1 A
Collector-Base Voltage
350(V)
Collector-Emitter Voltage
300(V)
Emitter-Base Voltage
6(V)
Power Dissipation
0.75(W)
Mounting
Through Hole
Operating Temp Range
-65C to 200C
Package Type
TO-39
Pin Count
3
Number of Elements
1
DC Current Gain (Min)
30
Operating Temperature Classification
Military
Category
Bipolar Power
Rad Hardened
No
Transistor Polarity
PNP
Collector Current (DC)
1(A)
DC Current Gain
30
Output Power
Not Required(W)
Configuration
Single
Packaging
Bag
обновлено 24-03-2024
JANTXV2N5416S%40MICROCHIP